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《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》4月13日訊 據(jù)ETNews報(bào)道，閃迪已開(kāi)始與材料、組件和設(shè)備合作伙伴接洽，以構(gòu)建HBF原型生產(chǎn)線的生態(tài)系統(tǒng)。

該公司計(jì)劃于今年下半年推出原型產(chǎn)品，日本已成為其生產(chǎn)基地的熱門候選地。業(yè)內(nèi)人士透露：“閃迪正在與企業(yè)探討合作，目標(biāo)是在下半年引入HBF關(guān)鍵設(shè)備?！逼涔烙?jì)，試點(diǎn)生產(chǎn)線將于下半年建成，并在年底前后投入運(yùn)營(yíng)，目標(biāo)是在2027年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

另?yè)?jù)The Bell援引消息人士指出，隨著樣品生產(chǎn)的正式啟動(dòng)，閃迪似乎將提前約六個(gè)月完成此前公布的HBF開(kāi)發(fā)路線圖。根據(jù)閃迪去年公布的HBF開(kāi)發(fā)路線圖，該公司原計(jì)劃于今年下半年開(kāi)始供應(yīng)HBF樣品，并推動(dòng)基于HBF的AI設(shè)備樣品在2027年面世。

HBF是高帶寬閃存，其結(jié)構(gòu)與堆疊DRAM芯片的HBM類似，是一種通過(guò)堆疊NAND閃存而制成的產(chǎn)品?！癏BM之父”韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）教授金正浩認(rèn)為，HBM與HBF就好比書(shū)房與圖書(shū)館。前者容量雖小，但使用起來(lái)方便；后者容量更大，但也意味著延遲更高。

2025年2月，閃迪首次提出HBF概念，并將其定位為結(jié)合3D NAND容量和HBM帶寬的創(chuàng)新產(chǎn)品。而在近期，閃迪與SK海力士聯(lián)合舉辦“HBF規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)化聯(lián)盟啟動(dòng)會(huì)”，正式發(fā)布面向AI推理時(shí)代的HBF全球標(biāo)準(zhǔn)化戰(zhàn)略。

東方證券判斷，通過(guò)積極推動(dòng)HBF標(biāo)準(zhǔn)化，SK海力士等頭部存儲(chǔ)廠商有望打造面向AI時(shí)代的領(lǐng)先儲(chǔ)存架構(gòu)。HBF采用NAND Flash閃存進(jìn)行堆棧，若未來(lái)HBF得到廣泛應(yīng)用，有望為NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)進(jìn)一步打開(kāi)空間。

業(yè)內(nèi)人士分析稱，閃迪加速開(kāi)發(fā)HBF與其作為NAND閃存制造商的身份密切相關(guān)，由于該公司目前產(chǎn)品組合中沒(méi)有基于DRAM的HBM，因此正全力以赴開(kāi)拓這一新興市場(chǎng)。

值得一提的是，日前納斯達(dá)克宣布，閃迪將于4月20日開(kāi)盤(pán)前取代軟件即服務(wù)（SaaS）巨頭Atlassian Corp Plc加入納斯達(dá)克100指數(shù)。過(guò)去一年，得益于AI熱潮下的存儲(chǔ)芯片超級(jí)周期，該股已漲逾2900%。